Das wissenschaftliche Ziel dieses Vorhabens ist ein detailliertes Verständnis der Kontaktbildung zu n- und p-Typ Si. Die Untersuchungen beinhalten zwei Schwerpunkte: Im Fall von Ag-haltigen siebdruckbaren Metallisierungspasten sollen die physikalischen Mechanismen hinter den unterschiedlichen Ausprägungen der Kontaktbildung zu n- und p-dotierten Si-Oberflächen untersucht werden. Im Fall von Al-haltigen siebdruckbaren Metallisierungspasten soll der Einfluss der Zusammensetzung der Metallisierungspaste auf die Bildung des (lokalen) Kontaktes und der Al-dotierten Schicht (BSF / Emitter) untersucht werden. Ziel eines besseren Kontaktverständnisses ist es, die Kontaktpasten für Standard- als auch für hocheffiziente Solarzellenkonzepte zu verbessern. Weiterführend werden die Grundlagen für ein Ag-freies Metallisierungsverfahrens auf der Basis von Nitriden und Siliziden für neuartige Si-Solarzellenkonzepte gelegt.
