Abstract: Das auf metallurgischem Wege gewonnene SoG-Si wird für 200um dünne Wafer eingesetzt. Dazu werden einige Prozessparameter extra auf das Mater angepasst. Nach 18 Monaten ist ein Wirkungsgrad von 16,5 % zum Ziel gesetzt. Da die Leitfähigkeit des Materials hoch (0,3-0,8 Ohm-cm) und die Diffusionslänge für diesen Dotierbereich bei 150-300um liegt, sollte sich bei dünnen Wafern insbesondere eine höhere Spannung erzielen lassen. Bezüglich der erforderlichen chemischen Oberflächen-Mikrotexturierung wird die chemische Zusammensetzung sowie andere Prozessparameter de isoelektronischen Ätzens für dieses höher als normal dotierte Silizium angepasst, so dass auch im Strom Gewinne erzielt werden. Die mittels PECVD abzuscheidende (Doppel-)Antireflexionsschicht muss bezüglich elektrischer Feldstärke bzw. Abscheidezeit angepasst werden. Die limitierenden Faktoren für weitere Wirkungsgradsteigerungen sollen halbleiterphysikalisch verstanden und Degradationsverhalten untersucht werden. Nach erfolgreicher Erarbeitung der erforderlichen Prozessparameter können die Wafer aus SoG-Si in jeder deutschen auf Siliziumwafer-Technologie beruhenden Zelllinie eingesetzt werden.
