Detailed investigation of contact formation of screen printed metal paste and development of alternative metallisation concepts for crystalline silicon (KONSENS)

Description

Das wissenschaftliche Ziel dieses Vorhabens ist ein detailliertes Verständnis der Kontaktbildung zu n- und p-Typ Si. Die Untersuchungen beinhalten zwei Schwerpunkte: Im Fall von Ag-haltigen siebdruckbaren Metallisierungspasten sollen die physikalischen Mechanismen hinter den unterschiedlichen Ausprägungen der Kontaktbildung zu n- und p-dotierten Si-Oberflächen untersucht werden. Im Fall von Al-haltigen siebdruckbaren Metallisierungspasten soll der Einfluss der Zusammensetzung der Metallisierungspaste auf die Bildung des (lokalen) Kontaktes und der Al-dotierten Schicht (BSF / Emitter) untersucht werden. Ziel eines besseren Kontaktverständnisses ist es, die Kontaktpasten für Standard- als auch für hocheffiziente Solarzellenkonzepte zu verbessern. Weiterführend werden die Grundlagen für ein Ag-freies Metallisierungsverfahrens auf der Basis von Nitriden und Siliziden für neuartige Si-Solarzellenkonzepte gelegt.

Institutions
  • WG Hahn (Photovoltaics)
Funding sources
Name Finanzierungstyp Kategorie Project no.
Bund third-party funds research funding program 484/12
Further information
Period: 01.04.2012 – 31.03.2015