Ziel dieses Projektes ist die Untersuchung von gradierten Materialübrgängen in Halbleiter-Nanokristallen. Dieses sind z.B. Kern/Schale-Strukturen oder Nanostäbchen mit axialer Grenzschicht, in denen zwei Materialien durch Bildung einer Mischphase über die Distanz mehrerer Elementarzellen ineinander übergehen. Hierzu werden drei Ansätze verfolgt:p1.) Entwicklung neuartiger Verfahren zur Bildung harter Materialübergänge bei niedrigen Temperaturen und schonenden Bedingungen. Ziel ist ein definierter Übergang, der im folgenden zu einem Materialgradienten umgesetzt werden kann.p2.) Quantifizierung der Ausdehnung des Gradienten zwischen scharfer Grenze und vollständiger Mischung der Phasen durch experimentelle (TEM, XRD, UV/vis- und Raman-Spekrsokopie) und theoretische (k.p-Rechnungen) Methoden.p3.) Bestimmung von Ladungsträgerdynamiken und -lokalisation in Abhängigkeit von der Ausdehnung des Gradienten und der daraus resultierenden Modifikation der elektronischen Struktur.pAls Modellsystem diesen hier CdS/CdTe-Nanostäbchen, die auf Grund einer hohen Gitterfehlanpassung an der Grenzfläche eine starke spektroskopische Signatur der Gradierung aufweisen.
