Ortsabhängigkeit des elektronischen Transports von Proximity-Strukturen und Metallschichten mit atomaren Fehlstellen
Das Projekt gliedert sich in zwei Teilvorhaben. In Vorhaben A untersuchen wir die Ortsabhängigkeit des supraleitenden Proximity-Effekts - d.h. Hineinlecken supraleitender Eigenschaften in Normalleiter und umgekehrt - auf mesoskopischer Längenskala mittels Rastertunnelspektroskopie. Hierzu werden zunächst elektronenstrahllithographisch kleine, wohldefinierte Kontakte zwischen Supraleitern (SL) und Normalleitern (NL) oder SL und Ferromagnten (FM) hergestellt. Mit Hilfe eines zu entwickelnden Tieftemperaturrastertunnelmikroskops wird daran die elektronische Zustandsdichte als Funktion des Abstandes vom Kontakt im SL und im NL bzw. FM untersucht. Die experimentellen Ergebnisse werden verglichen mit theoretischen Vorhersagen.pIm Projektteil B werden im Ultrahochvakuum Nanodrähte aus Edelmetallen strukturiert und mit Hilfe eines Rastertunnelmikroskops an verschiedenen Stellen gezielt einzelne Fehlstellen erzeugt. Durch simultane spektroskopische Messung des Transports und Rastertunnelspektroskopie wird der Einfluss der Lage der Fehlstelle auf die Transporteigenschaften und die Zustandsdichte untersucht.
- WG Scheer (Experimentalphysik mit SP Nanoelektronik)
Period: | 01.10.2002 – 31.12.2005 |