Optimisation of Al screen printed rear side emittters and passivation of n-type doped base (ALROUND)

Description

Entwicklung von Solarzellen auf Basis vonn-Typ Silizium mit rückseitigem Emitter, der duch Siebdruck von Al-Paste realisiert wird.

Institutions
  • WG Hahn (Photovoltaics)
Funding sources
Name Finanzierungstyp Kategorie Project no.
F. Hoffmann-La Roche AG right of use right of use from license agreement 13962310
Further information
Period: 01.08.2010 – 31.12.2017